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TTD1509B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TTD1509B

参数属性

TTD1509B 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR NPN TO126N

功能描述

Power transistor for high-speed switching applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:01:00

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TTD1509B规格书详情

描述 Description

Feature:High hFE / Low saturation voltage
Application Scope:Power amplifier / Switching
Polarity:NPN
Complementary Product:TTB1067B
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC 2 A
Collector Current ICP 3 A
Collector power dissipation PC 10 W
Collector power dissipation PC 1.5 W
Collector-Base Voltage VCBO 80 V
Collector-emitter voltage VCEO 80 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TTD1509B

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :NPN

  • Features

    :Darlington

  • VCEO(Max)(V)

    :80

  • IC(Max)(A)

    :2

  • hFE(Min)

    :2000

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :1.5

  • fT(Typ.)(MHz)

    :100

  • ComplementaryProduct

    :TTB1067B

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name

    :TO-126N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TOSHIBA
2025+
TO-126N
12420
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21+
QFN
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23+
QFN
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