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TTB1067B分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

TTB1067B

参数属性

TTB1067B 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR PNP BIPO TO126N

功能描述

Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type (Darlington Transistor)

丝印标识

B1067B

封装外壳

TO-126N

文件大小

310.55 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-28 22:58:00

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TTB1067B规格书详情

Applications

• Micromotor Drivers

• Hammer Drivers

• Switching

• Power Amplifiers

特性 Features

(1) High DC current gain : hFE = 2000 (min) (VCE = -2 V, IC = -1 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage : VCE(sat) = -1.5 V (max) (IC = -1 A, IB = -1 mA)

(3) Complementary to TTD1509B

产品属性

  • 产品编号:

    TTB1067B,Q(S

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    TRANSISTOR PNP BIPO TO126N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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