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TTA006B数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

TTA006B

参数属性

TTA006B 包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR PNP BIPO TO126N

功能描述

Power transistor for high-speed switching applications

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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TTA006B规格书详情

描述 Description

Feature:High hFE
Application Scope:Audio drivers
Polarity:PNP
Complementary Product:TTC011B
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国

特性 Features

Collector Current IC -1 A
Collector Current ICP -2 A
Collector power dissipation PC 10 W
Collector power dissipation PC 1.5 W
Collector-Base Voltage VCBO -230 V
Collector-emitter voltage VCEO -230 V

技术参数

  • 制造商编号

    :TTA006B

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :PNP

  • Features

    :Power Amps Driver Stage

  • VCEO(Max)(V)

    :-230

  • IC(Max)(A)

    :-1

  • hFE(Min)

    :100

  • hFE(Max)

    :320

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :-1.5

  • fT(Typ.)(MHz)

    :70

  • ComplementaryProduct

    :TTC011B

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :N

  • Package name

    :TO-126N

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