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TT8K2	文件：228.88 Kbytes Page：5 Pages	丝印：K02；Package：TSST8；2.5V Drive Nch MOSFET 文件：228.88 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
TT8K2	文件：1.10704 Mbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.10704 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
TT8K2	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。・2.5V驱动小型 Nch+Nch MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
TT8K2_09	文件：228.88 Kbytes Page：5 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 文件：228.88 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
2.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V (Typ.)：
0.095
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.07
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.095
Total gate charge Qg[nC]：
3.2
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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