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TT8K11	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch+Nch MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Nch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。・4V驱动型 Nch+Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
TT8K11	文件：1.17498 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.17498 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
HS8K11	文件：3.97783 Mbytes Page：19 Pages	30V NchNch Power MOSFET 文件：3.97783 Mbytes 页数：19 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
QS8K11	文件：1.23165 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.23165 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SH8K11	文件：1.16806 Mbytes Page：7 Pages	4V Drive Nch Nch MOSFET 文件：1.16806 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Switching
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch+Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
3.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.078
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.067
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.051
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.078
Total gate charge Qg[nC]：
2.5
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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更多TT8K11供应商更新时间2025-12-3 15:31:00

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