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TT8J3	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V Pch+Pch Middle Power MOSFET 电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 ·Low on-resistance.\n·Small Surface Mount Package.\n·Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n·Halogen Free.;	ROHM 罗姆	ROHM
TT8J3	文件：2.48435 Mbytes Page：13 Pages	-30V PchPch Middle Power MOSFET 文件：2.48435 Mbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
LS8J3M-T	文件：166.98 Kbytes Page：1 Pages	Non-illuminated/Vertical Type Features 1. The compact form of these switches enables high layout flexibility and easy set design. 2. Reflow soldering is possible using a reflow furnace Application LUMISWITCH,LS8 series, can be used as a function control switch in the following applications. TV, VCR, audio eq 文件：166.98 Kbytes 页数：1 Pages	CITIZEN 西铁城电子株式会社	CITIZEN
SP8J3	文件：113.51 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive PchPch MOS FET 文件：113.51 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SP8J3-TB	文件：1.88735 Mbytes Page：9 Pages	Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.88735 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Package Code：
TSST8
Package Size[mm]：
3.0x1.9(t=0.8)
Applications：
Power Supply
Number of terminal：
8
Polarity：
Pch+Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-2.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.12
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.065
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.12
Total gate charge Qg[nC]：
4.8
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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