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TT8J2

丝印:J02;Package:TSST8;4V Drive Pch MOSFET

文件:216.94 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

TT8J2

-30V Pch Pch Middle Power MOSFET

文件:2.45853 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

TT8J2

4V Drive Pch+Pch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 ・4V驱动型 Pch+Pch 中功率MOSFET;

ROHM

罗姆

TT8J2_09

4V Drive Pch MOSFET

文件:216.94 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

TT8J21

丝印:J21;Package:TSST8;1.5V Drive PchPch MOSFET

文件:201.65 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

TT8J21_09

1.5V Drive PchPch MOSFET

文件:201.65 Kbytes 页数:6 Pages

ROHM

罗姆

TT8J2TR

-30V Pch Pch Middle Power MOSFET

文件:2.45853 Mbytes 页数:12 Pages

ROHM

罗姆

TT8J21

1.5V Drive Pch+Pch MOSFET

电界效果晶体管MOSFET。复合两颗Pch MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET,并且结合用途,以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 ・1.5V驱动型 Pch+Pch MOSFET;

ROHM

罗姆

技术参数

  • Package Code:

    TSST8

  • Package Size[mm]:

    3.0x1.9(t=0.8)

  • Applications:

    Power Supply

  • Number of terminal:

    8

  • Polarity:

    Pch+Pch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    -30

  • Drain Current ID[A]:

    -2.5

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.):

    0.115

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.):

    0.095

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.):

    0.06

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.115

  • Total gate charge Qg[nC]:

    4.8

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    1.25

  • Drive Voltage[V]:

    -4.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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更多TT8J2供应商 更新时间2025-11-18 17:07:00