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ESJC50F10

Highspeedswitching

GETEDZGETAI ELECTRONICS DEVICE CO., LTD

格特电子广州市格特电子有限公司

ESJC50F10

Highvoltagesiliconrectifierdiodes

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EVD50F10ZES

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P50F10SN

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=8.7mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

P50F10SN

PowerMOSFET

SHINDENGENShindengen Electric Mfg.Co.Ltd

日本新电元工业株式会社

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