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TSZU52C4V3	文件：111.76 Kbytes Page：4 Pages	150mW SMD Zener Diode FEATURES ●Widezenervoltagerangeselection:2.0Vto39V ●Designedformountingonsmallsurface ●Extremelythin/leadlesspackage ●RoHSCompliant ●Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 APPLICATIONS ●Generalregulationfunctions MECHANICALDATA ●Case:0603 ●Terminal:Goldpl	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSZU52C4V3	文件：143.27 Kbytes Page：6 Pages	SMD Zener Diode FEATURES ●Widezenervoltagerangeselection:2.0Vto39V ●Designedformountingonsmallsurface ●Extremelythin/leadlesspackage ●RoHSCompliant ●Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21 APPLICATIONS ●Generalregulationfunctions MECHANICALDATA ●Case:0603 ●Terminal:Goldpl	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSZU52C4V3 RGG	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0603（1608 公制）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 4.3V 150MW 0603	Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation	Taiwan Semiconductor Corporation
AD-BZT52C4V3S	文件：1.05067 Mbytes Page：5 Pages	Plastic-EncapsulatedDiode FEATURES ⚫Planardieconstruction ⚫200mWpowerdissipationonceramicPBC ⚫Generalpurpose,mediumcurrent ⚫AEC-Q101qualified	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BZM52C4V3	文件：496.332 Kbytes Page：3 Pages	0.5W4.3VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
BZT52C4V3	文件：174.63 Kbytes Page：4 Pages	Surfacemountzenerdiode FEATURES ●Planardieconstruction. ●500mWpowerdissipationonceramicPCB. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses. ●ThePlasticMaterialCarriesU/LRecognition94V-0. APPLICATIONS ●Zenerdiode. ●Ultra-smallsurfacemountpackage.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BZT52C4V3	文件：703.79 Kbytes Page：4 Pages	Surfacemountzenerdiode FEATURES ●Planardieconstruction. ●500mWpowerdissipationonceramic PCB. ●Generalpurpose,mediumcurrent. ●Ideallysuitedforautomatedassemblyprocesses. APPLICATIONS ●Zenerdiode. ●Ultra-smallsurfacemountpackage.	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BZT52C4V3	文件：159.04 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPLANARZENERDIODES Features •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •Totalpowerdissipation:max.500mW	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BZT52C4V3	文件：89.7 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTZENERDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BZT52C4V3	文件：60.95 Kbytes Page：5 Pages	410mWSURFACEMOUNTZENERDIODE 500mWSURFACEMOUNTZENERDIODE Features ●PlanarDieConstruction ●500mWPowerDissipation ●2.0V–51VNominalZenerVoltage ●5StandardVzTolerance ●DesignedforSurfaceMountApplication ●PlasticMaterial–ULRecognitionFlammability Classification94V-0	WTEWon-Top Electronics 毅星電子毅星电子股份有限公司	WTE

详细参数

型号：
TSZU52C4V3
功能描述：
稳压二极管 4.3 Volt 150mW 10%
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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