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BD136-10	文件：194.48 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES HighCurrent	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
BD136-10	文件：85.15 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistor FEATURES •HighCurrent	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
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BD136-10	文件：317.14 Kbytes Page：3 Pages	PowerTransistorsPnPSiliconVolts	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BD136-10	文件：76.38 Kbytes Page：4 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
BD136-10	文件：188.34 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONTRANSISTORS POWERTRANSISTORSPNPSILICON	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BD136-10	文件：44.4 Kbytes Page：8 Pages	PNPpowertransistors DESCRIPTION PNPpowertransistorinaTO-126;SOT32plasticpackage.NPNcomplements:BD135,BD137andBD139. FEATURES •Highcurrent(max.1.5A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Generalpurposepowerapplications,e.g.driverstagesinhi-fiamplifiersandtelevisi	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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