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TSUS3400	文件：108.92 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSUS3400	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：径向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL	Vishay Semiconductor Opto Division Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TW3400	文件：227.07 Kbytes Page：2 Pages	TW3400/TW3402GPS/GLONASSAntenna	TALLYSMAN Tallysman Wireless Inc.	TALLYSMAN
U3400	文件：2.085409 Mbytes Page：21 Pages	DigitalMultimeters	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
UNNM3400	文件：1.01293 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
US3400	文件：481.34 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
US3400	文件：2.09552 Mbytes Page：4 Pages	N-Ch30VFastSwitchingMOSFETs	UNITPOWER Unitpower Technology Limited	UNITPOWER
UT3400	文件：156.17 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VBZ3400	文件：482.41 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBZ3400B	文件：482.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
TSUS3400
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
7mW/sr @ 100mA
波长：
950nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
视角：
36°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向
描述：
EMITTER IR 950NM 100MA RADIAL

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