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TST1N22D829MLV0H2T中文资料陶瓷RF元件(三工器)for 5G数据手册TaiyoYuden规格书

厂商型号 |
TST1N22D829MLV0H2T |
参数属性 | TST1N22D829MLV0H2T 封装/外壳为9-UFLGA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频多路复用器;产品描述:TRIPLEXER |
功能描述 | 陶瓷RF元件(三工器)for 5G |
封装外壳 | 9-UFLGA |
制造商 | TaiyoYuden Taiyo Yuden (U.S.A.), Inc |
中文名称 | 太阳诱电 太阳诱电株式会社 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
人工找货 | TST1N22D829MLV0H2T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
TST1N22D829MLV0H2T规格书详情
特性 Features
for 5G NR
for EN-DC
Stable temperature characteristics
Please confirm the detailed information with sales person.
简介
TST1N22D829MLV0H2T属于RF/IF射频/中频RFID的射频多路复用器。由制造生产的TST1N22D829MLV0H2T射频多路复用器射频多路复用器使用双向带通滤波器进行射频信号合路,以便通过单一同轴电缆传输,或将合路后的信号分路为独立信号,以便通过独立的同轴电缆传输。多路复用类型包括同向双工、反向双工、三工、四工和五工。多路复用器可根据频带、低频带衰减、高频带衰减、回波损耗和安装类型进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:TST1N22D829MLV0H2T
- 生产厂家
:TaiyoYuden
- System
:LTE/5G
- 频率1定义
:Low band
- 通带频率1 (f1)
:450 to 960 MHz
- 插入损耗2 (max)(in f1)
:1 dB at 450 to 960MHz (-40 to +85 ℃)
- VSWR1 (max)(in f1)
:2 at 450 to 960MHz
- 衰减量1 (min)(f1)
:18 dB at 1427 to 2690MHz
- 衰减量2 (min)(f1)
:20 dB at 3300 to 5950MHz
- 频率2定义
:Mid band
- 通带频率2 (f2)
:1427 to 2690 MHz
- 插入损耗2 (max)(in f2)
:1.2 dB at 1427 to 2690MHz (-40 to +85 ℃)
- VSWR1 (max)(in f2)
:2 at 1427 to 2690
- 衰减量1 (min)(f2)
:18 dB at 450 to 960MHz
- 衰减量2 (min)(f2)
:18dB at 3300 to 5950MHz
- 频率3定义
:High band
- 通带频率3 (f3)
:3300 to 5950 MHz
- 插入损耗2 (max)(in f3)
:1.5 dB at 3300 to 5950MHz (-40 to +85 ℃)
- VSWR1 (max)(in f3)
:2 at 3300 to 5950
- 衰减量1 (min)(f3)
:20 dB at 450 to 960MHz
- 衰减量2 (min)(f3)
:20 dB at 1427 to 2690MHz
- 输入阻抗 / 输出阻抗
:50 Ω / 50 Ω
- 尺寸 (L)
:2.5 ±0.10 mm
- 尺寸 (W)
:2.0 ±0.10 mm
- 尺寸 (T)
:Max 0.65 mm
- 使用温度范围
:-40 to +85 ℃
- RoHS Compliance (10 subst.)
:Yes
- REACH Compliance (240 subst.)
:Yes
- IEC62474 (Ver. D28.00) Compliance
:Yes
- Halogen Free
:Yes
- 适用焊接 方法
:Reflow
- 包装
:Taping Embossed 3000pcs
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TAIWAN SEMONDUCTOR |
24+ |
NA/ |
9250 |
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询价 | ||
TSC原装 |
25+23+ |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR |
24+ |
TO-220 |
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60000 |
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Taiyo Yuden |
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3000 |
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TAIWAN SEMICONDUCTOR |
23+ |
TO-220-3 |
50000 |
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