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V10D45C

DualLow-VoltageTMBS짰(TrenchMOSBarrierSchottky)Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Verylowprofile-typicalheightof1.7mm •Idealforautomatedplacement •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -A

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

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