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VBE1102N	文件：581.85 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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VBM1102M	文件：631.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1102M	文件：680.83 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1102N	文件：517.65 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1102N	文件：585.55 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBQA1102N	文件：900.88 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VTPS1102HA-TR	文件：454.09 Kbytes Page：19 Pages	EquivalenttoJEDEClevel3(IPC/JEDECJ-STD-020D)	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley
WS1102	文件：476.71 Kbytes Page：16 Pages	3x3PowerAmplifierModuleforCDMA/AMPS(824??49MHz)	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO

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