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TSML1040	文件：164.06 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION TSML1000 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power and high speed molded in a clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). FEATURES • Package type: surface-mount • Package form: GW, RG 文件：164.06 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：241.74 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs DESCRIPTION TSML1000 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power and high speed molded in a clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). FEATURES • Package type: surface mount • Package form: GW, RGW, yo 文件：241.74 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：365.79 Kbytes Page：9 Pages	Extented Power IR Emitting Diode in SMD Package DESCRIPTION TSML1000 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power and high speed molded in a clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). FEATURES • Package type: surface mount • Package form: GW, RGW, yo 文件：365.79 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：198.48 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode 文件：198.48 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：196.83 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW 文件：196.83 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：199.07 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 940 nm, GaAlAs/GaAs 文件：199.07 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：353.14 Kbytes Page：10 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs 文件：353.14 Kbytes 页数：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay
TSML1040	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW Package type: surface-mount\nPackage form: GW, RGW, yoke, axial\nDimensions (L x W x H in mm): 2.5 x 2 x 2.7;	Vishay 威世	Vishay
TSML1040	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：轴向；包装：散装类别：光电器件 LED 发射器 - 红外，紫外，可见光描述：EMITTER IR 940NM 100MA AXIAL	Vishay Semiconductor Opto Division	Vishay Semiconductor Opto Division
TSML1040_V02	文件：164.06 Kbytes Page：9 Pages	High Power Infrared Emitting Diode, 940 nm, GaAlAs, MQW DESCRIPTION TSML1000 is an infrared, 940 nm emitting diode in GaAlAs multi quantum well (MQW) technology with high radiant power and high speed molded in a clear, untinted plastic package (with lens) for surface mounting (SMD). FEATURES • Package type: surface-mount • Package form: GW, RG 文件：164.06 Kbytes 页数：9 Pages	VishayVishay Siliconix 威世	Vishay

产品属性

产品编号：
TSML1040
制造商：
Vishay Semiconductor Opto Division
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
散装
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
不同 If 时最小辐射强度 (Ie)：
3mW/sr @ 100mA
波长：
940nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.2V
视角：
24°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
描述：
EMITTER IR 940NM 100MA AXIAL

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