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TSM900N10CP

100V, 15A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM900N10CPROG

N-Channel Power MOSFET

文件:447.63 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

G900N10T

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G900N10T uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:914.14 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

TSM900N10

N-Channel Power MOSFET

文件:447.63 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    100

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    15

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    90

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    72

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    100

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    75

  • Qg (nC) @ 10V:

    9.3

  • Qgd (nC):

    1.8

  • Qgs (nC):

    2.1

  • Ciss (pF):

    1480

  • Coss (pF):

    480

  • Crss (pF):

    35

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.6

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TSC
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TO-252
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更多TSM900N10CP供应商 更新时间2025-10-11 9:43:00