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TSM6866SDCA	文件：300 bytes Page：1 Pages	20V, 6A, Dual N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Dual
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
20
VGS ±(V)：
12
ID Max. (A)：
6
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
30
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
21
RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ)：
40
RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ)：
30
Qg (nC) @ 4.5V：
5
Qgd (nC)：
1.5
Qgs (nC)：
1
Ciss (pF)：
565
Coss (pF)：
105
Crss (pF)：
75
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
1.2
VGS(th) Min. (V)：
0.6
VGS(th) Typ. (V)：
0.85

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