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TSM6502CR中文资料Complementary N+P Channel Power MOSFET数据手册TSC规格书

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厂商型号

TSM6502CR

功能描述

Complementary N+P Channel Power MOSFET

制造商

TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd

中文名称

台湾半导体 台湾半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-24 16:28:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TSM6502CR

  • 生产厂家

    :TSC

  • Configuration:

    :Complementary

  • Coss (pF):

    :59

  • Crss (pF):

    :15

  • ID Max. (A):

    :24

  • MSL:

    :1

  • Package:

    :PDFN56 Dual

  • Qg (nC) @ 10V:

    :20.8

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    :10.3

  • Qgd (nC):

    :4.2

  • Qgs (nC):

    :3.9

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    :34

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    :28

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    :40

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    :33

  • Type:

    :N-Channel

  • VDS (V):

    :60

  • VGS ±(V):

    :20

  • VGS(th) Max. (V):

    :2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    :1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    :1.7

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