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TSM4ND65CI

N-Channel Power MOSFET 650V, 4A, 2.6廓

文件:321.3 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM4ND65CI

650V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSOP1138

VISHAY
DIP-3

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市神舟芯电子科技有限公司

TSOP1838RF3V

VISHAY
DIP-3

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市神舟芯电子科技有限公司

TSOP31236

VISHAY
DIP-3

VishayVishay Siliconix

威世

上传:深圳市神舟芯电子科技有限公司

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    650

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    4

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    2600

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    1850

  • Qg (nC) @ 10V:

    16.8

  • Qgd (nC):

    7.6

  • Qgs (nC):

    2.7

  • Ciss (pF):

    596

  • Coss (pF):

    38

  • Crss (pF):

    1

  • MSL:

    NA

  • VGS(th) Max. (V):

    3.8

  • VGS(th) Min. (V):

    2.5

  • VGS(th) Typ. (V):

    2.9

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更多TSM4ND65CI供应商 更新时间2025-10-12 15:00:00