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TSM4NB65CH	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB65CHC5G	文件：1.12735 Mbytes Page：10 Pages	650V N-Channel Power MOSFET 文件：1.12735 Mbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM4NB65CPROG	文件：1.12735 Mbytes Page：10 Pages	650V N-Channel Power MOSFET 文件：1.12735 Mbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
650
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
4
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
3370
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2700
Qg (nC) @ 10V：
13.46
Qgd (nC)：
6.66
Qgs (nC)：
2.98
Ciss (pF)：
549
Coss (pF)：
75
Crss (pF)：
18
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5
VGS(th) Typ. (V)：
3.6

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