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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TSM4NB60CP | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.8 Mbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：1.16875 Mbytes 页数：9 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
600V N-Channel Power MOSFET 文件：382.98 Kbytes 页数：10 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
600V N-Channel Power MOSFET 文件：575.1 Kbytes 页数：11 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
600V N-Channel Power MOSFET 文件：1.61149 Mbytes 页数：11 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
TSM4NB60CP | 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET | TSC 台湾半导体 | TSC |
技术参数
- Type：
N-Channel
- Technology：
Planar
- Configuration：
Single
- Status：
Active
- AEC-Q：
No
- VDS (V)：
600
- VGS ±(V)：
30
- ID Max. (A)：
4
- TJ Max. (°C)：
150
- RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
2500
- RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
2000
- Qg (nC) @ 10V：
16
- Qgd (nC)：
7
- Qgs (nC)：
2.6
- Ciss (pF)：
574
- Coss (pF)：
56
- Crss (pF)：
7
- MSL：
3
- VGS(th) Max. (V)：
4.5
- VGS(th) Min. (V)：
2.5
- VGS(th) Typ. (V)：
2.8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TSC/台半 |
2447 |
TO-252 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
TS |
23+ |
TO252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TSC/台湾半导体 |
2022+ |
TO-252 |
32500 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
询价 | ||
TSC |
23+ |
TO-252 |
5756 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
TS |
24+ |
NA/ |
5250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TSC/台湾半导体 |
20+ |
TO-252 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
TSC |
25+ |
TO-252 |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
TS |
24+ |
TO252 |
60000 |
询价 | |||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252-2 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
TAIWAN |
25+ |
TO-252 |
3675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 |
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