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TSM4N60ECP

600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM4N60ECPROG

600V, 4A, 2.5廓 N-Channel Power MOSFET

文件:1.20259 Mbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSP4N60M

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.09119 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

U4N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.90767 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

U4N60HA

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:1.90678 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • Replacement:

    TSM4NB60CP

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    600

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    4

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    2500

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    2000

  • Qg (nC) @ 10V:

    12

  • Qgd (nC):

    6

  • Qgs (nC):

    3

  • Ciss (pF):

    545

  • Coss (pF):

    61

  • Crss (pF):

    10

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    5

  • VGS(th) Typ. (V):

    3

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TSC/台半
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更多TSM4N60ECP供应商 更新时间2025-10-9 17:08:00