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TSM4N60ECH

600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM4N60ECHC5G

600V, 4A, 2.5廓 N-Channel Power MOSFET

文件:1.20259 Mbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

TSP4N60M

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:1.09119 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

WFD4N60

Silicon N-Channel MOSFET

文件:510.5 Kbytes 页数:7 Pages

WINSEMIShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd

稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司

WFF4N60

N-Channel MOSFET

Features □ Low Intrinsic Capacitances □ Excellent Switching Characteristics □ Extended Safe Operating Area □ Unrivalled Gate Charge :Qg= 15nC (Typ.) □ BVDSS=600V,ID=4A □ RDS(on) :2.3 Ω (Max) @VG=10V □ 100 Avalanche Tested

文件:743.23 Kbytes 页数:7 Pages

WISDOM

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Planar

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • Replacement:

    TSM4NB60CH

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    600

  • VGS ±(V):

    30

  • ID Max. (A):

    4

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    2500

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    2000

  • Qg (nC) @ 10V:

    12

  • Qgd (nC):

    6

  • Qgs (nC):

    3

  • Ciss (pF):

    545

  • Coss (pF):

    61

  • Crss (pF):

    10

  • VGS(th) Max. (V):

    5

  • VGS(th) Typ. (V):

    3

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TSC
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