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TSM4435BCS	文件：1.16633 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TSM4435BCSRLG	文件：1.09534 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4435BCSRL	文件：210.56 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4435BCSRLG	文件：210.56 Kbytes Page：6 Pages	30V P-Channel MOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4435CS	文件：358.65 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4435CSRL	文件：1.27537 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •LoadSwitch •BatterySwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TSM4435CSRL	文件：501.9 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TSM4435CSRL	文件：358.65 Kbytes Page：6 Pages	30VP-ChannelMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
TZA4435	文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	PigtailedPDforanalogapplication	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TZP4435	文件：250.67 Kbytes Page：4 Pages	PigtailedPDforanalogapplication	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

详细参数

型号：
TSM4435BCS
功能描述：
MOSFET 30V N Channel Mosfet
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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