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35N10

FastSwitching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

35N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

HMS35N10K

N-ChannelSuperTrenchPowerMOSFET

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

ME35N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

RFH35N10

POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORSN-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

RFH35N10

PowerMOSField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

RFK35N10

PowerMOSField-EffectTransistors

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司

RFK35N10

POWERMOSFIELD-EFFECTTRANSISTORS,N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

SPB35N10

SIPMOSPower-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SPD35N10

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

详细参数

  • 型号:

    TSM35N10CP ROG

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 32A N Channel Mosfet

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TSM35N10CP ROG供应商 更新时间2025-5-17 11:08:00