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TSM2N70CP | N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：766.08 Kbytes 页数：5 Pages | DOINGTER 杜因特 | DOINGTER | |
700V N-Channel Power MOSFET General Description The TSM2N70 N-Channel enhancement mode Power MOSFET is produced by planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and 文件：211.76 Kbytes 页数：7 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
700V N-Channel Power MOSFET 文件：442.28 Kbytes 页数：10 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
700V N-Channel Power MOSFET 文件：442.28 Kbytes 页数：10 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC |
详细参数
- 型号：
TSM2N70CP
- 功能描述：
MOSFET 700V 0,8Amp N-Ch Pwr MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2025-10-10 14:01:00
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