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TSM2N60S中文资料600V N-Channel Power MOSFET数据手册TSC规格书

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厂商型号

TSM2N60S

功能描述

600V N-Channel Power MOSFET

制造商

TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd

中文名称

台湾半导体 台湾半导体股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 11:06:00

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技术参数

  • 型号:

    TSM2N60S

  • 功能描述:

    MOSFET 600V 2Amp N channel MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
N/A
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24+
TO-92
2000
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2025+
SOT-223
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TSC/台湾半导体
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SOT-223
2000
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