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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor Features: ●LowGateChargeforFastSwitchingApplication ●LowRDS(ON)toMinimizeConductiveLoss ●100%EASGuaranteed ●OptimizedV(BR)DSSRuggedness ●GreenDeviceAvailable Description: TheADM25N03ZusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withl | ADVAdvanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd 爱德微爱德微(深圳)电子有限公司 | ADV | ||
N-ChannelPowerMOSFET | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
HighdensitycelldesignforultralowRdson | HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司 | HMSEMI | ||
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@12A | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
DiscreteDiodes | SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司 | SIRECTIFIER | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package. | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package. | SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司 | Samhop |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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