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TSM250N02D

Dual N-Channel Power MOSFET

文件:251.41 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM250N02DCQ

20V Dual N-Channel MOSFET

文件:247.88 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSM250N02DCQRFG

20V Dual N-Channel MOSFET

文件:247.88 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSM250N02D

Dual N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM250N02DCQ

20V, 5.8A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Dual

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    20

  • VGS ±(V):

    10

  • ID Max. (A):

    5.8

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    25

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    20

  • RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ):

    35

  • RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ):

    27

  • RDS(ON) @ 1.8V Max. (mΩ):

    55

  • RDS(ON) @ 1.8V Typ. (mΩ):

    39

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    7.7

  • Qgd (nC):

    2.4

  • Qgs (nC):

    0.9

  • Ciss (pF):

    535

  • Coss (pF):

    60

  • Crss (pF):

    34

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    0.8

  • VGS(th) Min. (V):

    0.4

  • VGS(th) Typ. (V):

    0.6

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更多TSM250N02D供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00