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TSM230N06CP

60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM230N06CPROG

60V N-Channel Power MOSFET

文件:771.79 Kbytes 页数:8 Pages

TSC

台湾半导体

IPD230N06LG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:392.01 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD230N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:390.44 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPD230N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor Features For dc/dc converters and sync. rectification

文件:520.87 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    60

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    50

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    23

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    20

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    28

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    23

  • Qg (nC) @ 10V:

    28

  • Qgd (nC):

    6.5

  • Qgs (nC):

    3.5

  • Ciss (pF):

    1680

  • Coss (pF):

    115

  • Crss (pF):

    85

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.8

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更多TSM230N06CP供应商 更新时间2025-12-1 11:01:00