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TSM2301ACXRFG

20V P-Channel MOSFET

文件:220.31 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301B

20V P-Channel MOSFET

文件:348.31 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301B

20V P-Channel MOSFET

文件:360.97 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301B_08

20V P-Channel MOSFET

文件:125.18 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301BCXRF

20V P-Channel MOSFET

文件:125.18 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301BCXRF

20V P-Channel MOSFET

文件:348.31 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301BCXRF

20V P-Channel MOSFET

文件:360.97 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301CX

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:169.5 Kbytes 页数:5 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301CX

20V P-Channel MOSFET

文件:346.09 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM2301CX

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件:194.46 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • Replacement:

    TSM650P02CX

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    -20

  • VGS ±(V):

    12

  • ID Max. (A):

    -2.8

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    130

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    90

  • RDS(ON) @ 2.5V Max. (mΩ):

    190

  • RDS(ON) @ 2.5V Typ. (mΩ):

    120

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    4.5

  • Qgd (nC):

    1.2

  • Qgs (nC):

    2.2

  • Ciss (pF):

    480

  • Coss (pF):

    460

  • Crss (pF):

    10

  • MSL:

    3

  • VGS(th) Max. (V):

    -1

  • VGS(th) Min. (V):

    -0.6

  • VGS(th) Typ. (V):

    -0.7

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