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TSM200N03DPQ33

30V, 20A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM200N03DPQ33RGG

Dual N-Channel MOSFET

文件:513.57 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

UTT200N03

200A, 30V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:249.5 Kbytes 页数:5 Pages

UTC

友顺

BSO200N03

Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.05364 Mbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

BSO200N03

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:264.69 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

BSO200N03S

OptiMOS2 Power-Transistor

文件:238.94 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Dual

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    30

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    20

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    20

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    17

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    30

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    23

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    4.1

  • Qgd (nC):

    2.1

  • Qgs (nC):

    1

  • Ciss (pF):

    345

  • Coss (pF):

    55

  • Crss (pF):

    32

  • MSL:

    1

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TSM200N03DP供应商 更新时间2025-12-15 20:18:00