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TSM1NB60CH	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, 1A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1NB60CHC5G	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：273.53 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1NB60CP	文件：1.39517 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.39517 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
TSM1NB60CPROG	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：273.53 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1NB60CWRPG	文件：273.53 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：273.53 Kbytes 页数：7 Pages	TSC 台湾半导体	TSC

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Planar
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
600
VGS ±(V)：
30
ID Max. (A)：
1
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
10000
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
8000
Qg (nC) @ 10V：
6.1
Qgd (nC)：
3.3
Qgs (nC)：
1.4
Ciss (pF)：
138
Coss (pF)：
17.1
Crss (pF)：
4.2
MSL：
NA
VGS(th) Max. (V)：
4.5
VGS(th) Min. (V)：
2.5

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更多TSM1NB60CH供应商更新时间2025-10-8 14:02:00

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