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TSM1N60SCTA3	文件：166.25 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Power Enhancement Mode MOSFET General Description The TSM1N60S is used an advanced termination scheme to provide enhanced voltage-blocking capability without degrading performance over time. In addition, this advanced MOSFET is designed to withstandhigh energy in avalanche and commutation modes. The new energy e 文件：166.25 Kbytes 页数：4 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM1N60SCTA3	文件：381.92 Kbytes Page：8 Pages	600V N-Channel Power MOSFET 文件：381.92 Kbytes 页数：8 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
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更多TSM1N60SCTA3供应商更新时间2025-10-4 14:02:00