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TSM1N50CT	文件：124.16 Kbytes Page：7 Pages	500V N-CHANNEL POWER MOSFET 500VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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TSM1N50CTB0	文件：124.16 Kbytes Page：7 Pages	500V N-Channel Power MOSFET 500VN-ChannelPowerMOSFET	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
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1N50	文件：43.32 Kbytes Page：1 Pages	GOLDBONDEDGERMANIUMDIODE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N50	文件：169.79 Kbytes Page：6 Pages	1.3Amps,500VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50	文件：177.99 Kbytes Page：6 Pages	1.3A,500VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50A	文件：194.12 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELINSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC1N50AisanN-channelmodepowerMOSFETusingUTC’sadvancedtechnologytoprovidecustomerswithplanarstripeandDMOStechnology.Thistechnologyallowsaminimumon-stateresistanceandsuperiorswitchingperformance.Italsocanwithstandhighenergypulseintheavalanch	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
1N50A	文件：54.54 Kbytes Page：2 Pages	DrainCurrentID=1.2A@TC=25C •FEATURES •DrainCurrentID=1.2A@TC=25℃ •DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) •StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=5.5Ω(Max) •FastSwitching •APPLICATIONS •Switchmodepowersupply.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
TSM1N50CT
功能描述：
MOSFET 500V N Channel Pwr MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TSM1N50CT供应商更新时间2025-5-26 9:59:00

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