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TSM12N65CI

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件:1.10762 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

TSM12N65CIC0

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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微碧半导体

TSM12N65CIC0

650V N-Channel Power MOSFET

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TSC

台湾半导体

TSM12N65CIC0

650V N-Channel Power MOSFET

文件:844.62 Kbytes 页数:8 Pages

TSC

台湾半导体

详细参数

  • 型号:

    TSM12N65CI

  • 功能描述:

    MOSFET 650V 6A N Channel Power Mosfet

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多TSM12N65CI供应商 更新时间2025-12-5 11:01:00