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TSM100N06

60V N-Channel Power MOSFET

文件:611.79 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM100N06

60V N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM100N06CZ

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:974.08 Kbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

TSM100N06CZC0

60V N-Channel Power MOSFET

文件:611.79 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM100N06CZ

60V, 100A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    60

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    100

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    6.7

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    5.7

  • Qg (nC) @ 10V:

    92

  • Qgd (nC):

    24

  • Qgs (nC):

    23

  • Ciss (pF):

    4382

  • Coss (pF):

    668

  • Crss (pF):

    339

  • MSL:

    NA

  • VGS(th) Max. (V):

    4

  • VGS(th) Min. (V):

    2

  • VGS(th) Typ. (V):

    3

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更多TSM100N06供应商 更新时间2025-10-11 19:24:00