首页 >TSM090N03E>规格书列表
| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TSM090N03E | Fast switching 文件：277.25 Kbytes 页数：6 Pages | TSC 台湾半导体 | TSC | |
TSM090N03E | Fast switching | TSC 台湾半导体 | TSC | |
30V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET | TSC 台湾半导体 | TSC | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.7381 Mbytes 页数：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI | ||
OptiMOS?? Power-Transistor OptiMOS™3 Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche 文件：315.67 Kbytes 页数：9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.63965 Mbytes 页数：7 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | VBSEMI |
技术参数
- Type：
N-Channel
- Technology：
Trench
- Configuration：
Single
- Status：
Active
- AEC-Q：
No
- VDS (V)：
30
- VGS ±(V)：
20
- ID Max. (A)：
50
- TJ Max. (°C)：
150
- RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
9
- RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
7.5
- RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
14
- RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
9.6
- Qg (nC) @ 4.5V：
7.7
- Qgd (nC)：
2.8
- Qgs (nC)：
1.9
- Ciss (pF)：
680
- Coss (pF)：
150
- Crss (pF)：
70
- MSL：
3
- VGS(th) Max. (V)：
2.5
- VGS(th) Min. (V)：
1.2
- VGS(th) Typ. (V)：
1.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TAIWAN |
25+ |
TO-252 |
3675 |
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询价 | ||
TSC America Inc. |
22+ |
TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Taiwan Semiconductor Corporati |
2022+ |
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片 |
38550 |
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24+ |
N/A |
58000 |
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NK/南科功率 |
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TO-252(D-PAK) |
986966 |
国产 |
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TSC/台湾半导体 |
新年份 |
DFN5*6 |
33288 |
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TKS(兴勤) |
24+ |
0402 |
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TKS |
23+ |
0402T |
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THINKING |
17PB |
SMD |
1000 |
现货 |
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TKS |
23+ |
O402 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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