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TSM089N08LCR	文件：300 bytes Page：1 Pages	80V, 67A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM101AIDT其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 SOP-8	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
TSM101CN	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DIP8	STM 信盛上传：深圳市富诚威科技有限公司	STM
TSM102AIPW	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI/德州仪器 NA	TI/德州仪器上传：深圳市天卓伟业电子有限公司	TI/德州仪器

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
80
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
67
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
8.9
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
6.4
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
11
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
8
Qg (nC) @ 10V：
90
Qg (nC) @ 4.5V：
45
Qgd (nC)：
23
Qgs (nC)：
16
Ciss (pF)：
6119
Coss (pF)：
304
Crss (pF)：
116
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1
VGS(th) Typ. (V)：
1.9

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