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TSM088NA03CR

Low gate charge for fast power switching

文件:342.52 Kbytes 页数:6 Pages

TSC

台湾半导体

TSM088NA03CR

30V, 61A, Single N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM101AIDT其他被动元件

ST/意法
SOP-8

ST/意法

TSM101CN

STM
DIP8

TSM102AIPW

TI/德州仪器
NA

TI/德州仪器

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Single

  • Status:

    NRND

  • Replacement:

    TSM080N03PQ56

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    30

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    61

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    8.8

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    6.5

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    11.4

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    9.5

  • Qg (nC) @ 10V:

    12.6

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    6.3

  • Qgd (nC):

    2.3

  • Qgs (nC):

    2.4

  • Ciss (pF):

    750

  • Coss (pF):

    190

  • Crss (pF):

    78

  • MSL:

    1

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.2

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TSM088NA03CR供应商 更新时间2025-10-10 16:13:00