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TSM085NB03DCR

30V, 51A, Dual N-Channel Power MOSFET

TSC

台湾半导体

TSM101AIDT其他被动元件

SOP-8

ST/意法

TSM102AIPW

NA

TI/德州仪器

TSM102IPW

NA

TI/德州仪器

TSM103IDT

SOP-8

ST/意法

技术参数

  • Type:

    N-Channel

  • Technology:

    Trench

  • Configuration:

    Dual

  • Status:

    Active

  • AEC-Q:

    No

  • VDS (V):

    30

  • VGS ±(V):

    20

  • ID Max. (A):

    51

  • TJ Max. (°C):

    150

  • RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ):

    8.5

  • RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ):

    6.5

  • RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ):

    15

  • RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ):

    11

  • Qg (nC) @ 10V:

    20

  • Qg (nC) @ 4.5V:

    10

  • Qgd (nC):

    5

  • Qgs (nC):

    4

  • Ciss (pF):

    1091

  • Coss (pF):

    176

  • Crss (pF):

    106

  • MSL:

    1

  • VGS(th) Max. (V):

    2.5

  • VGS(th) Min. (V):

    1.3

  • VGS(th) Typ. (V):

    1.8

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TSM085NB03DCR供应商 更新时间2025-12-1 17:01:00