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TSM048NB06LCR	文件：314.84 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFET 60V, 107A, 4.8m廓文件：314.84 Kbytes 页数：6 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM048NB06LCR	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM101AIDT其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 SOP-8	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
TSM101CN	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DIP8	STM 信盛上传：深圳市富诚威科技有限公司	STM
TSM102AIPW	文件：0 bytes Page：0 Pages	TI/德州仪器 NA	TI/德州仪器上传：深圳市天卓伟业电子有限公司	TI/德州仪器

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
60
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
107
TJ Max. (°C)：
175
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
4.8
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
4
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
6.8
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
4.8
Qg (nC) @ 10V：
105
Qg (nC) @ 4.5V：
52
Qgd (nC)：
23
Qgs (nC)：
17
Ciss (pF)：
6253
Coss (pF)：
388
Crss (pF)：
168
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1
VGS(th) Typ. (V)：
1.8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TSM048NB06LCR供应商更新时间2025-10-8 13:02:00

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