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TSM042N03CS	文件：275.57 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel Power MOSFET 文件：275.57 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM042N03CSRLG	文件：275.57 Kbytes Page：5 Pages	30V N-Channel Power MOSFET 文件：275.57 Kbytes 页数：5 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSM042N03CS	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 30A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
042N03L	文件：370.62 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-Transistor Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Avalanche rated • Pb-free plating; Ro 文件：370.62 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC042N03LSG	文件：384.52 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Fast switching MOSFET for SMPS • Optimized technology for DC/DC converters • Qualified according to JEDEC1) for target applications • N-channel; Logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • Superior thermal resistance • Avalanc 文件：384.52 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BSC042N03MSG	文件：386.91 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS?? Power-MOSFET Features • Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) • Low FOMSW for High Frequency SMPS • 100 Avalanche tested • N-channel • Very low on-resistance R DS(on) @ V GS=4.5 V • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Qualified according to JEDEC1) for target applications 文件：386.91 Kbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
Active
AEC-Q：
No
VDS (V)：
30
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
30
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
4.2
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
3.8
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
6.0
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
5.2
Qg (nC) @ 4.5V：
24
Qgd (nC)：
13
Qgs (nC)：
4.2
Ciss (pF)：
2200
Coss (pF)：
280
Crss (pF)：
177
MSL：
3
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1.2
VGS(th) Typ. (V)：
1.6

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