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TSM026NA03CR	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V, 168A, Single N-Channel Power MOSFET	TSC 台湾半导体	TSC
TSM101AIDT其他被动元件	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 SOP-8	ST/意法上传：深圳和润天下电子科技有限公司	ST/意法
TSM101CN	文件：0 bytes Page：0 Pages	STM DIP8	STM 信盛上传：深圳市富诚威科技有限公司	STM

技术参数

Type：
N-Channel
Technology：
Trench
Configuration：
Single
Status：
NRND
AEC-Q：
No
VDS (V)：
30
VGS ±(V)：
20
ID Max. (A)：
168
TJ Max. (°C)：
150
RDS(ON) @ 10V Max. (mΩ)：
2.6
RDS(ON) @ 10V Typ. (mΩ)：
1.9
RDS(ON) @ 4.5V Max. (mΩ)：
3.3
RDS(ON) @ 4.5V Typ. (mΩ)：
2.5
Qg (nC) @ 10V：
41
Qg (nC) @ 4.5V：
21
Qgd (nC)：
6.5
Qgs (nC)：
7
Ciss (pF)：
2540
Coss (pF)：
600
Crss (pF)：
200
MSL：
1
VGS(th) Max. (V)：
2.5
VGS(th) Min. (V)：
1.2
VGS(th) Typ. (V)：
1.65

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更多TSM026NA03CR供应商更新时间2025-10-10 11:00:00

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