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TSHG5510光电器件的LED发射器-红外紫外可见光规格书PDF中文资料

TSHG5510
厂商型号

TSHG5510

参数属性

TSHG5510 封装/外壳为径向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为光电器件的LED发射器-红外紫外可见光;产品描述:EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL

功能描述

High Speed Infrared Emitting Diode, 830 nm, GaAlAs Double Hetero

封装外壳

径向

文件大小

92.96 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 11:31:00

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TSHG5510规格书详情

DESCRIPTION

TSHG5510 is an infrared, 830 nm emitting diode in GaAlAs

double hetero (DH) technology with high radiant power and

high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES

• Package type: leaded

• Package form: T-1¾

• Dimensions (in mm): Ø 5

• Leads with stand-off

• Peak wavelength: λp = 830 nm

• High reliability

• High radiant power

• High radiant intensity

• Angle of half intensity: ϕ = ± 38°

• Low forward voltage

• Suitable for high pulse current operation

• High modulation bandwidth: fc = 24 MHz

• Good spectral matching to Si photodetectors

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

accordance to WEEE 2002/96/EC

产品属性

  • 产品编号:

    TSHG5510

  • 制造商:

    Vishay Semiconductor Opto Division

  • 类别:

    光电器件 > LED 发射器 - 红外,紫外,可见光

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    红外(IR)

  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):

    100mA

  • 不同 If 时最小辐射强度 (Ie):

    18mW/sr @ 100mA

  • 波长:

    830nm

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.45V

  • 视角:

    76°

  • 方向:

    顶视图

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    径向

  • 描述:

    EMITTER IR 830NM 100MA RADIAL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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