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TSHA6500_V02	文件：113.09 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs DESCRIPTION The TSHA6500 is an infrared, 875 nm emitting diode in GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. FEATURES • Package type: leaded • Package form: T-1¾ • Dimensions (in mm): Ø 5 • Peak wavelength: p = 875 nm • High reliability • Angle of half intensity: 文件：113.09 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6501	文件：114.26 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs Description The TSHA650. series are high efficiency infrared emitting diodes in GaAlAs on GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. In comparison with the standard GaAs on GaAs technology these high intensity emitters feature about 70 radiant power improvement. In contras 文件：114.26 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA6502	文件：114.26 Kbytes Page：6 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs Description The TSHA650. series are high efficiency infrared emitting diodes in GaAlAs on GaAlAs technology, molded in a clear, untinted plastic package. In comparison with the standard GaAs on GaAs technology these high intensity emitters feature about 70 radiant power improvement. In contras 文件：114.26 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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TSHA4400	文件：117.75 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, 875 nm, GaAlAs 文件：117.75 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA4400	文件：106.82 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 文件：106.82 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
TSHA4400_08	文件：106.82 Kbytes Page：5 Pages	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 875 nm, GaAlAs 文件：106.82 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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