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US112N	文件：189.76 Kbytes Page：4 Pages	SuitabletofitallmodesofcontrolFoundinapplicationssuchasOvervoltagecrowbarprotection	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
US112S	文件：189.76 Kbytes Page：4 Pages	SuitabletofitallmodesofcontrolFoundinapplicationssuchasOvervoltagecrowbarprotection	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
US112S	文件：147.21 Kbytes Page：3 Pages	SCRS	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UZ112	文件：245.75 Kbytes Page：3 Pages	POWERZENERS3WATT	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
UZ112	文件：115.95 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS DESCRIPTION Fused-in-glassmetallurgicallybonded3wattzenerdiodes. FEATURES •10TimesGreaterSurgeRatingthanConventional1WattTypes •SmallPhsicalSize	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
UZ112	文件：120.89 Kbytes Page：2 Pages	POWERZENERS3Watt	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
VAULH112	文件：378.12 Kbytes Page：2 Pages	AluminumCompressionTerminalfor#2-#1strAL/CU,#26/1,7/1ACSR,#1COMPACT	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
VAULH112BN	文件：378.31 Kbytes Page：2 Pages	AluminumCompressionTerminalfor#2-#1strAL/CU,#26/1,7/1ACSR,#1COMPACT	HUBBELL HUBBELL INCORPORATED	HUBBELL
VCO-112	文件：137.29 Kbytes Page：1 Pages	NominalOperatingParameters	RFMDRF Micro Devices 威讯联合威讯联合半导体(德州)有限公司	RFMD
VCO-112TC	文件：281.33 Kbytes Page：1 Pages	VCOProductSpecification	SIRENZA SIRENZA MICRODEVICES	SIRENZA

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详细参数

型号：
TSH112IPT
功能描述：
运算放大器 - 运放 Dual Wideband Lo No
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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