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TSG65N068CE	文件：951.29 Kbytes Page：10 Pages	650V, 30A, PDFN88, E-MODE GAN TR FEATURES ● 650 V enhancement mode power transistor ● Bottom-cooled, 8x8 mm PDFN package ● RDS(on)(Typ) = 50 mΩ ● IDS(max) = 30 A ● Simple gate drive requirements (0 V to 6 V) ● Transient tolerant gate drive (-20 V / +10 V) ● High switching frequency (> 1 MHz) ● Fast and controllable fall a 文件：951.29 Kbytes 页数：10 Pages	TSC 台湾半导体	TSC
TSG65N068CE	文件：300 bytes Page：1 Pages	650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor	TSC 台湾半导体	TSC
TSH22IN	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 DIP	ST/意法上传：深圳市澳亿芯电子科技有限公司	ST/意法
TSH350IDT	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST/意法 SOIC-8	ST/意法上传：深圳市汇莱威科技有限公司	ST/意法
TSH72CDT	文件：0 bytes Page：0 Pages	ST SOP	ST 上传：深圳市讯运电子有限公司	ST

技术参数

AEC-Q：
No
Status：
Active
VDS (V)：
650
VGS ±(V)：
-10 to +7
ID Max. (A)：
30
RDS(ON) @ 6V Typ. (mΩ)：
50
RDS(ON) @ 6V Max. (mΩ)：
68
Qg (nC) @ 6V：
6.7
VGS(th) Min. (V)：
1.1
VGS(th) Typ. (V)：
1.7
VGS(th) Max. (V)：
2.6
Qoss (nC)：
61
Qrr (nC)：
0
Ciss (pF)：
235
Coss (pF)：
60
Crss (pF)：
0.6
TJ Max. (°C)：
150
MSL：
NA

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更多TSG65N068CE供应商更新时间2025-9-26 16:41:00

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