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TSG40N120CE

N-Channel IGBT with FRD

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TSC

台湾半导体

TSG40N120CEC0

N-Channel IGBT with FRD

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TSC

台湾半导体

40N120

IGBT

文件:162.44 Kbytes 页数:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

40N120FL

IGBT

Features • Low Saturation Voltage using NPT Trench with Field Stop Technology • Low Switching Loss Reduces System Power Dissipation • 10 s Short Circuit Capability • Low Gate Charge • Soft, Fast Free Wheeling Diode • These are Pb−Free Devices Typical Applications • Solar Inverter • UPS

文件:194.63 Kbytes 页数:11 Pages

ONSEMI

安森美半导体

40N120IHL

IGBT

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ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    TSG40N120CE

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 40A IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TSC
2447
TO-3PL
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ST
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更多TSG40N120CE供应商 更新时间2026-1-30 15:01:00