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TSG15N120中文资料台湾半导体数据手册PDF规格书

TSG15N120
厂商型号

TSG15N120

功能描述

N-Channel IGBT with FRD.

文件大小

450.28 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企业简称

TSC台湾半导体

中文名称

台湾半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 14:09:00

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产品属性

  • 型号:

    TSG15N120

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 1200V 15A IGBT

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

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